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2016-12-29 11:02 出处:PConline原创 作者:刺客 责任编辑:fushaobin

  【PConline 资讯】2017年1月5日至8日,美国消费电子展(CES2017)将在内华达州的拉斯维加斯举办。与往年的惯例一样, 高通公司公布了一个重磅消息:CEO史蒂夫•莫伦科夫受邀在当地时间1月6日发表主题演讲,届时骁龙835处理器将正式亮相。

  高通首先为骁龙835处理器的Quick Charge 4预热,新一代快充的充电速度提升20%、充电效率提升30%,能在大约15分钟或更短时间内,为2750mAh电池充入高达50%的电量。

  据微博用户@草数码爆料,骁龙835采用自研的Kryo CPU核心,大小核频率分别为3GHz、2.4GHz,GPU升级到Adreno 540,此外还加入对4通道LPDDR4x内存、UFS2.1闪存的支持,4G网络接入能力达到LTE Cat.16。

Exynos 8895与骁龙835
处理器骁龙835Exynos 8895MExynos 8895V
制程10nm
架构Kryo200M2+A53
CPU主频3GHz+2.4GHz2.5GHz+1.7GHz2.3GHz+1.7GHz
GPUAdreno 540Mali-G71mp20Mali-G71mp18
GPU频率N/A500MHz
支持RAM4*LPDDR4X
支持ROMUFS 2.1
屏幕输出4K
基带集成6模全网通 Cat.16外挂S359实现全网通(17年Q3量产)Cat.16
终端上市时间2017 Q2

  高通早先在骁龙技术峰会上宣布与三星电子合作,在骁龙835处理器中采用10纳米FinFET工艺,新工艺节点可减少30%的芯片尺寸,同时性能提升27%、功耗降低40%。

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