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2015-03-17 00:03 出处:PConline原创 作者:PConline手机频道 责任编辑:huangyue

最强14nm制程Exynos 7420处理器

  三星此次的Exynos 7420处理器应该算是Galaxy S6/S6 edge上最大的亮点之一了。虽然三星的Exynos系列处理器一直都在更新换代,但在此前发布的系列手机中,三星往往采用的是同款机型“两个平台”的策略,绝大部分用高通平台,只有少部分使用自家Exynos芯片,这里面除了市场上对于高通芯片的口碑因素之外,同时还有基带这方面的考虑。由于三星自己的通讯基带芯片此前一直落后于高通,所以很多时候不得不采用高通的方案来保证自己产品的通讯能力,但是这个问题到今年终于解决了。三星终于造出了属于自己的LTE基带,这使得三星摆脱高通成为了可能。

最强14nm制程Exynos 7420处理器

  另外一点促使三星全面使用Exynos芯片的原因,就是对于自家14nm FinFET工艺的自信。我们都清楚芯片工艺制程的数值越小,就代表晶体管之间的距离也越小,相对的能耗就越低,性能也越强。只是晶体管之间的距离小到一定程度之后,就会发生“漏电流(Leakage)”现象,而FinFET(鳍式场效晶体管)技术就是专为解决这类问题而生。这种工艺能够改善电流控制并减少漏电流(Leakage)现象,从而使得芯片制程工艺数值得以再次下探。目前市售半导体处理器的最高工艺制程也就只到14nm而已,所以Exynos 7420也可算是工艺最先进的处理器之一了。所以在性能与功耗上,三星自信完全能够与高通最先进的处理器一决高下,所以就形成了如今Galaxy S6/S6 edge全部采用自家芯片的局面。

   三星Exynos 7420依然采用的Cortex-A53和Cortex-A57的八核混合架构,并且支持GTS(Global Task Scheduling),即八核心同时投入工作与动态核心电压频率调整功能。并且由于制程的进步,Exynos 7420相比Note4上搭载的Exynos 5433在Cortex-A57“大核”上提升了200MHz主频,达到了2.1GHz主频。而其GPU主频也从5433的700MHz提升到了772MHz,总体提升了大约10%左右,这自然能换来性能的提升。由于三星还加入了LPDDR4与UFS嵌入式存储技术以加强系统的I/O读取速度,这又更进一步强化了Exynos 7420的性能表现。

  由于我们手中的这台Exynos主动屏蔽了绝大部分跑分软件,我们只能通过部分跑分软件来一窥Exynos的性能水平。当然,我们在评测Galaxy S6时也测试这款SoC的跑分成绩,各位感兴趣可以移步《终于放大招了!三星Galaxy S6独家评测》处查看。

三星Galaxy S6 edge系统截图 三星Galaxy S6 edge跑分截图

  不出意外的是,我们使用鲁大师跑得的分数远远超过市面上其他手机,在其他手机得分还在3W到4W分左右徘徊的时候,Galaxy S6 edge已经拿到了6W5的成绩,当然这与之前我们用安兔兔测试的结果也十分一致。并且通过Galaxy S6与iPhone 6的GFXbench跑分来看,Exynos 7420在单核性能上也只是稍逊苹果A8一筹,可见三星在硬件上这次的确是到位了。

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