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　　【PConline 资讯】早前台积电内部就声传华为海思成为第一家量产FinFET(鳍式场效晶体管)16nm制程的手机芯片客户，近期台湾媒体也正式报道台积电与海思合作的消息，并声称内部已成功产出16nm FinFET的32核64位芯片，在手机性能和功耗表现上极具里程碑意义。

　　资料显示，台积电与海思推出的芯片基于ARM Cortex-A57 64位架构，该架构以AEMv8为基础，主频可达2.6GHz，整体效能相较前一代处理器增快3倍，且支持虚拟化、软件定义网络(SDN)、网络功能虚拟化(NFV)，可用于手机。路由器和其他高端网络领域。

　　据台积电透露，其对FinFET鳍式场效晶体管的研究已经超过十年，此次与海思成功合作算是首次使用使用该项晶体技术。FinFET因为晶体管的形状与鱼鳍相似而得名，其具有功耗低和面积小的优点，能够显着改善速度与功率，并且降低漏电流。相较于台积电的28nm制程，16FinFET制程芯片密度增加两倍，在相同功耗下速度增加40%，或在相同速度下功耗降低60%。不过，为了推进成本效益，该枚芯片理论上不是完整的16nm产物，其利用的是台积电的异构CoWoS 3D IC封装工艺，理论上是在一个28nm I/O芯片上集成了16nm逻辑芯片，属于一个混合试验品。

FinFET鳍式场效晶体管

　　台积电总经理及共同执行长刘德音表示，台积电16nm FinFET工艺于2013年11月份进入风险性试生产，目前良品率非常理想，已经进入试产阶段。

　　根据ICInsights统计，2013年海思排名全球IC设计公司第12名，营收为13.55亿美元，同比增长15%。展讯为14名，年营收为10.70亿美元，全球龙头高通年营收为172.11亿美元，第二名的博通年营收为82.19亿美元，联发科排名全球第四名，年营收为33.66亿美元。