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　　【PConline 资讯】1月23日，东芝内存公司（Toshiba Memory Corporation）正式宣布已经对业界首款UFS 3.0闪存进行采样。新产品采用了该公司最先进的96层BiCS FLASH 3D闪存，共有128GB、256GB和512GB 版本三种容量可供选择。

　　这三款闪存芯片均符合了JEDEC UFS 3.0标准和HS-GEAR4标准，其理论接口速度高达每通道每秒11.6千兆位，在双通道下可以实现23.2Gbps（2.9GB/s）带宽，同时减少了所需功耗。与上一代闪存相比，512GB版本的顺序读写性能分别提高了约70％和80％。

　　凭借高速读写性能和低功耗特性，UFS 3.0闪存非常适用于移动设备，包括智能手机，平板电脑和AR/VR设备等应用，预计首款采用UFS 3.0闪存的智能手机会在2019年内上市。