正在阅读:索尼革命性拍照黑科技:把内存塞进CMOS!索尼革命性拍照黑科技:把内存塞进CMOS!

2017-02-08 00:15 出处:PConline原创 作者:wzg 责任编辑:huangjiawei

  【PConline 资讯】尽管近段时间索尼忙于月底的MWC 2017,但这似乎并不影响索尼偶尔刷刷黑科技的习惯。近日,索尼推出了一款划时代的传感器产品——全球首款三层堆叠式CMOS传感器。据了解,索尼这种三层堆叠式传感器基于目前CMOS传感器进行改进,在像素层和信号处理电路层之间又增加了一层DRAM。


新一代CMOS传感器原理


新一代CMOS传感器原理

  技术介绍称,大容量低功耗DRAM的加入可以让传感器获得高速读取的能力,从而拍摄快速移动物体时能够更加从容,有效减少拍摄时所产生的焦平面失真现象,使得抓拍、慢动作都会更加简单。并且这种三层堆叠式DRAM CMOS传感器能够连续读取120张193万像素的静态图片(比传统的提高了4倍),还可以用1000fps的帧率拍摄1080p视频,实现超慢回放。


超慢回放动作拍摄


超慢回放动作拍摄

  相信这项技术很快就会用在智能手机上,大家不妨期待一下它又将为手机相机带来一场新的革命。

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