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　　【PConline 资讯】前段时间，Geekbench曝光过几次疑似高通骁龙835工程机的跑分，高通也表示这款芯片将于2017年初在CES大会上发布，日前外媒已经曝光了骁龙835的详细规格，相比骁龙821有不小的提升。

骁龙835参数

　　骁龙835基于三星10nm FinFET工艺打造，将采用4*2.45GHz大核+4*1.9GHz共8核心设计，均为自主Kryo 280架构。GPU为Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、四通道LPDDR4x内存，整合了Cat.16基带。支持Quick Charge 4.0快速充电技术。

高通骁龙835采用10nm

　　然而前段时间有消息表示三星10nm工艺良品率达不到预期，不过骁龙835依然会照常发布，目前骁龙835已经开始生产，2017年上半年正式出货，相信三星会尽快解决良品率的问题。

　　三星Galaxy S8有望成为首款搭载高通骁龙835处理器的智能手机设备，届时LG、HTC等手机厂商都会推出搭载骁龙835的智能手机。