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　　【PConline 资讯】以三星和台积电为代表的晶圆厂风头正劲，尽管在芯片制程命名时有些浮夸，但半导体代工工艺的进步却是真真切切的。根据台积电之前的研发计划中，第三代 10nm FinFET 工艺预计在今年试产，第四代 7nm FinFET 制程工艺预计在2017年试产。

　　不过这一时间表很有可能提前。据来自供应链的消息，台积电的 10nm 制程将在年底前进入量产，芯片面积将比目前的 16nm FF+ 减小 50% ，然而性能提升 50% 、耗电减少40% ；7nm 制程最早在明年 4 月进入试产，量产时间从 2018 年第一季度提前至 2017 年第四季度。

　　台积电近日还公布了 9 月份收入数据，得益于独家代工 A10 芯片，当月营收为新台币 897.03 亿元（约合人民币 190.23 亿元），环比减少 4.9% 、同比增长 39% ；1 - 9 月营收为新台币 6857.11 亿元（约合人民币 1454.16 亿元），同比增长 7.1% 。

　　据悉英特尔也会在明年试产 10nm 工艺处理器，但 7nm 工艺预计要等到 2022 年。这一期间内英特尔将会连续优化 10nm 制程，预计推出 10nm+ 、10nm++ 两个版本。

靠谱指数：两星半

网友吐槽
台积电：　16nm——10nm——7nm
三星：　　14nm——10nm——7nm
格罗方德：14nm——12nm——7nm
英特尔：　14nm——14nm——10nm——10nm——10nm