【PConline 资讯】2016已经进入了下半年,年初大放异彩的两颗处理器高通骁龙820和三星Exynos 8890也逐渐成为旗舰手机的标配,许多关注科技时事的人已经逐渐将眼光放到下一代的旗舰处理器上。据网友爆料,三星目前正在测试Exynos 8895——也就是Exynos 8890的继任者,将搭载在明年的Galaxy S8上。 据悉,Exynos 8895将采用10nm FinFET工艺,其最高频率可达4.0GHz,比骁龙830的3.6GHz频率还高一些。 当然,消息的真实性还有待商榷。就目前而言,10nm工艺芯片还很难成为明年的主流产品,参照英特尔的状况,由于10nm制造工艺比预期困难,英特尔已经将全面转向10nm的计划延迟,并推出了权益产品,换句话说,同样的事情可能发生在移动芯片产业。 另一方面,14nm工艺产品虽然已经实现了量产,但仍旧处于完善阶段,理论上还有改进的空间,因此,短期内采用下一代制造工艺的可能性不大。
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2016-08-10 10:18
出处:PConline原创
责任编辑:hongjiahang