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2016-04-14 00:15 出处：PConline原创作者：刺客责任编辑：fushaobin

　　【Pconline 杂谈】三星集团经营范围涉及电子、重工业、金融服务业、生活服务和其他行业，其中三星电子最为消费者所熟悉。三星电子在手机上游供应链方面拥有极强的研发和垂直整合能力，仅靠内部资源整合，就可以完成一部手机的研发、生产、上市和销售。

　　小编也对工科大神三星所能提供的行业解决方案非常感兴趣，不妨就当一回参数党，从处理器、屏幕、EMCP、CMOS四个维度出发，简单感受下三星半导体和显示器部门纯粹的硬件实力。

　　维度一：处理器

　　关键词1：第二代14nm FinFET

　　如左下图所示，在传统的平面MOSFET结构中，硅基底（Sub）顶部与氧化层（Field Ox.）齐平，相接于闸（Gate）的底面。电流方向从Source流向Drain，由闸控制电路接通与断开。一般用闸长Lg衡量芯片制程工艺，闸长变短意味着单位面积晶体管数据量增加，带来性能和功耗的福利。

　　但是物极必反，当芯片制程越过20nm大关后，闸对电路的控制能力下降，漏电率相应提高。如右下图所示，FinFET（鳍式场效应晶体管）聪明地将电路通道升高为鲨鱼鳍形状，三面与闸接触，从而降低漏电和动态功率损耗，达到降低功耗和发热、减少体积的目的。

　　因此FinFET结构是半导体制程进一步下探到20nm乃至14nm关键，Exynos 7420便是凭借先进工艺制程力压骁龙810。胡正明教授是FinFET的发明者之一，其弟子梁孟松从台积电跳槽至三星，大大加速三星FinFET工艺的发展。三星第一代14nm FinFET在功耗控制上稍逊台积电16nm FinFET，不过在Exynos 8890上已经进化到第二代，孰优孰劣还很难说。

　　关键词2：基带

　　不同于Exynos 7420外挂高通基带（Modem），8890采用单芯片方案（one-chip soulution），在SoC中集成基带芯片。8890对LTE频段的支持不输高通，4G网络接入能力为Cat12/13，即下行600Mbps、上行150Mbps，已经可以与骁龙820上的X12LTE基带相媲美。

　　Exynos8890没有加入对CDMA网络模式的支持。在CDMA网络覆盖地区如中国大陆和美国，S7/S7 Edge均为为骁龙820版本；其他市场S7/S7 Edge部分采用Exynos 8890，不过并没有针对中国运营商网络频段进行校注和优化，可能存在一些兼容性问题。

　　关键词3：自主研发猫鼬（M1）核心

　　Exynos8890采用big.LITTLE Processing Demo (HMP)异构多核计算架构，4×M1+4×A53。其中猫鼬（Mongoose）微结构基于cortex A72自主研发。不仅如此，CPU核心调度方面同样得到进化，M1平常只驱动2颗频率为2.6GHz的大核心，任务繁重时改为驱动4颗2.3GHz大核心。

　　GeekBench跑分显示8890单核性能与骁龙820相差不大，多核性能不出意料反超，三星给出的说法是比前代7420性能提高30%。初次试水自主核心能取得这样的表现已经很不简单了，多核智能调度更是将胶水双四核的帽子甩得远远的。

　　维度二：屏幕

　　关键词1：AOMLED

　　虽然小编对AMOLED屏幕不太感冒，但不可否认的是AMOLED已必然是未来屏幕的主要发展方向之一。微博科技评论人摩卡RQ将三星迅速抢占手机屏幕供应市场归结于产能提高、价格下调、显示效果进步以及屏幕模组厚度减薄。

　　美国权威的独立影像品质测试机构DisplayMate将迄今最佳手机显示屏的殊荣冠以Galaxy S7。对比S6，S7屏幕亮度高出24%，达到450尼特；强光下瞬时亮度达到855尼特。屏幕色彩管理程序表现优异，色彩还原度为1.6JNCD，处于业内顶尖水平。此外，三星还改进自动亮度调节功能。

图片来自于DisplayMate

　　关键词2：曲面

　　AMOLED屏幕仅为基板玻璃、上板玻璃偏光片、盖板等几层结。相比复杂的TFT-LCD，AMOLED不仅在屏幕模组厚度上具有先天优势，而且更加容易通过3D热成型锻造，改变基板形状做成曲面造型。随着将来电路等配件进一步柔性化，AMOLED实现折叠效果在技术上不存在太大的瓶颈。

　　据韩国媒体报道，三星旗下Samsung Display大规模投产双曲面AMOLED屏幕，月产能不低于900万块。而在下一代屏幕研发方面，三星向外界展示透明显示、镜面显示、可重叠显示、卷轴显示等概念，看上去还是非常激动人心的。

　　维度三：EMCP

　　关键词1：LPDDR4

　　LPDDR4内存架构上采用双通道Die，每通道16-bit，总位宽32-bit。LPDDR4内存带宽是前一代DDR3的两倍，达到25.6GB/s；功耗控制方面，在1.1V电压下相较于DDR3下降了40%。LPDDR4毫不意外成为国产手机标榜性能的黑科技之一。

　　关键词2：UFS 2.1

　　不同于eMMC半双工、读写分开进行的工作方式，UFS 2.1闪存采用全双工模式、可同时读写操作，还支持指令队列。UFS的速度相当于eMMC5.0的3倍，能够更早完成读写操作进入待机状态，整体功耗表现反而更低。三星已经量产容量256GB的UFS 2.0闪存芯片，读写操作IOPS分别达到45000、40000，持续读写速度达到850MB/s、260MB/s。

　　维度四：CMOS

　　关键词1：ISOCELL+RWB滤镜

　　ISOCELL对不少同学来说并不陌生，就是在像素间加入物理屏障，避免光线串扰。而RWB滤镜则是将传统拜耳“一红两绿一蓝”滤镜中的绿色全部替换为白色，原本被绿色滤镜阻挡的其他颜色光线得以进入，低照度下感光能力大大提升，能够获得与大尺寸传感器相当的画质。三星在去年发布1600万像素S5K3P3感光元件，厚度只有5mm、单位像素1微米大小，仍有可圈可点的画质表现。

　　关键词2：Daul Pixel全像素双核对焦

　　Galaxy S7/S7Edge采用三星自家S5K2L1和索尼IMX260两种规格传感器，尺寸1/2.5英寸、单位像素1.44微米。三星加入Dual Pixel全像素双核对焦技术，在每一个像素上使用了2个光电二极管，通过相位差进行对焦。Dual Pixel不仅能够带来对焦速度的提升，还能加强弱光拍摄能力。作为对比，2015年里大多支持PDAF相位对焦只有不到5%的像素用于辅助对焦，差距显而易见。值得一提的是，三星S5K2L1传感器在成像画质上已经不输IMX260，配合F1.7大光圈，夜景表现十分强势。

总结

　　三星S5被批缺乏创新、市场表现崩坏。仅仅一年之隔，S6/S6Edge便亮出一身黑科技，让人大为惊叹。这与三星在供应链上的研发和控制能力不无相关，单凭此项便足以立于不败之地。苹果虽然在全球范围内采购零部件，但是在关键物料上通常采取自主研发或者交叉授权。或许，这才是真正科技公司应有的样子。

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