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　　【PConline 资讯】2015年9月15日，高通公司于香港宣布现已推出下一代快速充电技术Qualcomm® Quick Charge™ 3.0。作为快速充电技术的第三代产品，Quick Charge 3.0在同类产品中首次采用最佳电压智能协商INOV算法，大约35分钟内将一部典型的手机从零电量充电至80%。

　　借助INOV 和其他先进技术的Quick Charge 3.0，除了充电效率提升，还有利于保护电池寿命周期。与Quick Charge 2.0相比，提高快速充电速度最高达27%，或减少功率损耗最高达45%，而比Quick Charge 1.0快2倍的充电速度。另一方面，支持新一代快充的有骁龙820、620、618、617和430处理器。

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　　Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四档充电电压，Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。

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　　Quick Charge 3.0能够与Quick Charge之前的版本及连接器（包括USB Type-C）前向和后向兼容，并且拥有同样的超快充电速度，以及独立电路，为OEM厂商提供更灵活的选择，此外还有帮助达到质量和安全标准的UL认证。Quick Charge 3.0的采用建立在对现有设计最小化改变上，能向 OEM厂商提供低成本的快速充电选项。