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　　【PConline 资讯】在昨天举行的 ISSCC（International Solid State Circuit Conference）国际固态电路会议上，三星向全球首次展示了10nm FinFET半导体制程。当时业内人士纷纷表示，三星有望抢在英特尔之前造出全球第一款10nm工艺用于移动平台的处理器。

　　实际上三星在半导体制造方面已经非常超前，目前仅有三星一家可以正式大规模量产14nm  FinFET工艺的移动设备芯片，而此前在工艺方面极有优势的英特尔却一推再推。虽然在芯片领域，三星在业务方面尚未上升到高通或者英特尔的高度，但三星的芯片发展可谓神速，迎来的是对统治级竞争对手的直接挑战。

　　不过，如果你认为三星首秀10nm FinFET工艺制程已经够惊艳全场的话，那么三星在ISSCC会议上的主题演讲可能更令人意外。

　　三星在会议上的说到：“5nm芯片对我们而言完全没有问题”，而还将继续推进至5nm工艺制程，因为他们认为“根本没有困难”，而且进一步微细化也有可能很快实现。甚至表示，他们已经确认开始3.2nm FinFET工艺的工作，通过所谓的EUV远紫外光刻技术和四次图形曝光技术和独家相关途径，可以实现工艺更细微化。

　　让我们回到10nm工艺，三星称下一代芯片尺寸将更微小，功耗更低。未来此工艺也将运用到DRAM 和 3D V-NAND芯片上，三星不会放弃任何在移动领域做储存霸主的机会。三星表示，在2016或2017年之前暂时不会有10nm工艺。也就是说，首款采用14nm芯片的智能手机Galaxy S6，在先进工艺方面的优势可能会维持两年。

　　当然，我们不排除下下一代旗舰智能手机，也就是Galaxy S7，三星又惊人的为其搭载10nm工艺的处理器。